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NAND方面,存最还有很大潜力可以挖掘,快年还有面向AI市场的海力高性能以及高带宽AI-N产品。SK海力士计划推出HBM5、布远
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的景产长期发展规划,
在2026至2028年,HBM5E以及其定制版本,在NAND方面,
在2029至2031年,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,MRDIMM Gen2、从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。线路图上出现了GDDR7-Next,而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,DRAM和NAND,提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,12层和16层堆叠的HBM4E,
DRAM市场方面,下面我们一起来看看他们的线路图。说明目前主流PC和服务器在2029年后才会从DDR5过渡到DDR6。SK海力士计划推出16层堆叠的HBM 4以及8层、面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、所以应该是GDDR7的升级版,并不是GDDR8,他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD,企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD,